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大功率LED照明產品之散熱技術介紹

文章出處:常見問題 責任編輯:東莞市閩光電子科技有限公司 發表時間:2020-10-29
  

LED照明應用趨勢及散熱問題由于固態光源(Solid State Lighting)技術不斷進步,使近年來LED的發光效率提升,逐漸能取代傳統光源,目前發光效率已追過白熾燈及鹵素燈而持續向上成長。

而一些公司更已開發出效率突破100lm/W 的LED元件,這也使得LED的照明應用越來越廣,不但已開始應用于室內及戶外照明、手機背光模組及汽車方向燈等,更看好在高瓦數的投射燈及路燈等強光照明、大尺寸背光模組以及汽車頭燈等的應用。由于擁有省電、環保及壽命長等優點,更使未來以LED光源為主流的趨勢越趨明顯。

為了讓LED發更亮的光而需要輸入更高的功率,然而目前大功率LED的光電轉換效率值仍然有限,一般僅有約15~25% 的輸入功率成為光,其馀則會轉換成熱能。由于LED晶片面積很小,因此使高功率LED單位面積的發熱量(發熱密度)非常高,甚至較一般的 IC 元件更為嚴重,也使得LED 晶片的接面溫度大為提升,容易造成過熱問題。過高的晶片接面溫度會使LED 的發光亮度降低,其中以紅光的衰減最為明顯。也會造成LED的波長偏移而影響演色性,更會造成LED可靠度的大幅降低,因此散熱技術已成為目前LED技術發展的瓶頸。

因此散熱設計的挑戰較大,必須從晶片層級、封裝層級、PCB 層級到系統模組層級,都要非常重視散熱設計,并尋求最佳的散熱方桉。對于LED照明產品而言,由于系統端的散熱限制較大,因此其它層級的散熱需求就更明顯。

對于LED熱傳問題,最基本的分析方法就是利用熱阻網路進行分析。也就是將LED由晶片熱源到環境溫度的主要散熱路徑建構熱阻網路,然后分析各熱阻值的特性及大小,如此可以推算理想狀況時的晶片溫度,并針對熱阻網路各部分下對策以降低熱阻值。需注意的是,實際分析時可依據系統結構組成更詳細的熱阻網路,例如考慮Die Attach 材料及Solder 等介面材料之熱阻,或是散熱模組結構之熱阻值。

由于LED晶片的Sapphire 基板導熱特性較差,會造成熱阻值過高,因此改善方式必須用高導熱的材料如銅取代Sapphire ,或是採用覆晶方式將基板移開熱傳路徑,以降低熱阻值。目前在晶片到封裝層級性能較佳的散熱設計,包括共融合金基板及覆晶形式等設計,使熱更容易從晶片傳到封裝中。而增加晶片尺寸以降低發熱密度也是可行的方向。

大功率LED的散熱設計非常重要,關系到LED的發光的品質及使用壽命。透過熱阻網路可迅速分析散熱能力及需求并尋求散熱對策,由于大功率LED發熱密度很大,必須從Chip Level、Package Level、Board Level到System Level 各層級進行散熱設計,降低熱阻,才能得到最佳的散熱效果。目前國際上各大LED晶片及封裝廠商都致力于發展發光效率更高的產品,透過提升光的量子效率等方式提升光電轉換效率,以降低晶片發熱量。

為了使LED產品的發展及應用更為快速,相關的散熱技術仍需同步發展。由于人類對于生活品質的需求不斷提升,就如同IC 產品對于散熱的需求一直存在,散熱設計在各種大功率LED的產品設計中仍將佔有重要的地位。

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